硬件設計熱門培訓內容之之mosefet

時間:2018-12-06 17:12:22

1 電路

1 可以看到NMOSE電流是D--S里面有個反向二極管是當mosefet關閉后需要反向導通功能設計的。

2 對于NMOS當在GS之間加一個正向電壓比如15V此時NMOS的DS就會導通。

3 對于MOS來說GS之間添加的是電壓源,如果是三極管那么在BE之間添加的是電流源。

4 三極管和mos的區別是在三極管be之間添加的是電流源而在mosGD之間添加的是電壓源,也就是說當我們使用三極管的時候就需要考慮BE之間的電流一般是大于1mA。

當我們使用的是mos的時候在GS之間添加的是電壓,一般是大于閾值電壓在datasheet中可以查到,注意是大于閾值電壓,如果等于閾值電壓那么mos不完全導通。

下面以datasheet說明如何學習一個mos

說明MOS是Nmos,DS之間的耐壓是60V

這里說明當mos導通的時候Vgs之間的電壓影響Rds電阻。

表名Vds之間最大電壓為60V,一般我們實際電壓源需要放余量比如30V,這樣保證電路的正常工作。

表明GS之間最大電壓為20V。

這里表明Id電流和文檔有關。

瞬間電流可以達到200A,上面的85A和59A指的是持續電流。

mos的功率和溫度有關。

指的是mos的閾值電壓,也就是mos開啟電壓Vgs電壓最好大于這個電壓。

mos門極電阻。
 

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